1. 静电放电

    静电放电被定义为由直接接触或由静电场感应引起的不同静电电位的物体之间的静电荷转移。

    通常的 ESD 包括从电容性物品释放存储的电荷，最基本形式的电容性物品是人体。其他典型的电荷存储体包括底盘、衣服、椅子等。大多数 ESD 故障发生在人类对大约 4000 V 开始的静电放电的感觉之下。然而，大多数集成电路和许多分立部件在低于 4000 V 的阈值下发生故障。除了在极其干燥的大气条件下，静电放电的感觉很少发生。

    典型的敏感性水平：

    2. ESD 和 EOS（电气过载）：

    ESD 以外的电气过应力 (EOS) 故障通常持续时间较长，通常大于 50 毫秒。典型的 EOS 电源为 230 VAC、50 Hz，对直流或交流电位的意外短路超过栅极氧化层击穿或不同持续时间的系统瞬变。在这些情况下，加热的持续时间通常比典型的 ESD 暴露期间更长，从而导致更广泛的损坏。通常，EOS 瞬变比 ESD 瞬变持续时间更长。此外，EOS 引起的故障可能是正向或反向偏置。正向偏置 EOS 通常由高电流的结果损坏证明，例如内部连接的熔化和/汽化。例如，TTL 输入门暴露于 14V 电压达 200 毫秒，峰值电流为 500 mA，导致内部连接的高电流熔化。

    ESD 造成的最普遍的结损坏发生在反向偏置条件下，并由降级的 IV 特性证明。退化可以是从几乎可以忽略不计的曲线偏移到短路。除了最严重的情况外，通过显微镜检查芯片表面，物理损坏是不可见的。

    3. 表面电阻率：

    对于表面，电阻与宽度 W 成比例地减小，并与长度 l 成比例地增大。

    电阻率，R 由下式给出

    R=kl/W

    其中 k 是比例常数。

    在正方形的情况下，其中 l = W，方程简化为

    R=k

    从等式可以看出，如果l=W，则l和W的大小无关紧要，因此正方形的大小无关紧要。换句话说，

    rs= 表面电阻率 =k = l = W 时的电阻

    根据表面电阻率对材料进行分类的术语目前定义如下：

    导电：<= 10 5per square

    静电耗散：10 5 to 10 9W

    抗静电：10 9 to 10 14W per square

    绝缘：> 10 14 W per square

    但是，以上仅是指示性的，如有必要，可以根据个人要求定制限制。

    湿度的影响：

    较高的湿度会根据材料不同程度地增加材料的水分含量。这种增加的水分含量会降低电阻率。